文献类型：期刊文章

作　　者：李义久[1] 王光雨[1] 王雁鹏[1] 曾新平[1] 倪亚明[1]

机构地区：[1]同济大学化学系微量元素研究所,上海200092

出　　处：《理化检验（化学分册）》

年　　份：1998

卷　　号：34

期　　号：5

起止页码：198-199

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：使用P-E LS 50荧光光谱仪,在盐酸介质中,用同一激发波长(214nm)激发,分别测定 Pr(Ⅲ)(283urn)和Ce(Ⅲ)(356nm)发射峰强度.线性范围Pr_6O_11为0.20～15μg·ml^(-1);CeO_2为0.01～0.25μg·ml^(-1).检出限Pr_6O_(11)为0.008μg·ml^(-1);CeO_2为0.0011μg·ml^(-1).讨论了盐酸浓度、仪器带通、荧光稳定性及基体氧化钕对错铈测定的影响.结果表明,仪器带通选择B_(ex)=4.0nm,B_(em)=20.0nm及盐酸浓度为8+92时,Pr(Ⅲ)和Ce(Ⅲ)有较稳定的荧光强度,且基体氧化钛对镨铈测定无影响.用此法直接测定高纯氧化钕样品中痕量镨铈,结果令人满意.

关 键 词：荧光光度法 镨 铈 高纯氧化钕 氧化钕 分析  测定  

分 类 号：O614.334] O614.332[化学类]