文献类型：期刊文章

作　　者：熊祖洪[1,2,3] 刘小兵[1,2,3] 廖良生[1,2,3] 袁帅[1,2,3] 何钧[1,2,3] 周翔[1,2,3] 曹先安[1,2,3] 丁训民[1,2,3] 侯晓远[1,2,3]

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室 [2]李政道物理学综合实验室 [3]长沙电力学院物理系

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1998

卷　　号：19

期　　号：6

起止页码：458-462

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）。

关 键 词：多孔硅 发光器件 全硅基  光电子集成

分 类 号：TN383] TN204