文献类型：期刊文章

作　　者：宋经纬[1,2] 周祥[2] 谌家军[1] 马锡英[2]

机构地区：[1]西华师范大学物理与电子信息学院,四川南充637002 [2]绍兴文理学院数理信息学院光电材料研究所,浙江绍兴312000

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家自然科学基金项目(60776004);浙江省新苗计划项目(2008R40G2180006)

年　　份：2009

卷　　号：46

期　　号：5

起止页码：285-291

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：Si纳米线是一种非常重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面有很好的应用前景。综述了Si纳米线的一些重要制备方法:激光烧蚀法、模板法、化学气相生长法、热蒸发法,简要介绍了各种制备方法过程并分析各种方法制备纳米线的优缺点。还介绍了Si纳米线所制备纳米器件的电学、电子输运等特性,说明了掺硼、掺磷纳米线分别具有p型、n型半导体特征。最后介绍了Si纳米线在电子器件、纳米线电池、传感器方面的相关应用。

关 键 词：SI纳米线 纳米线电子器件  纳米线电池  纳米线传感器  电学特性

分 类 号：TN383] TN304.12