文献类型：期刊文章

作　　者：张楼英[1,2] 周丽[1] 张家雨[1] 罗宗南[1] 崔一平[1]

机构地区：[1]东南大学电子科学与工程学院先进光电子中心,南京210096 [2]淮安信息职业技术学院电子工程系,江苏淮安223003

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2009

卷　　号：34

期　　号：5

起止页码：474-477

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为了研究大功率LED的光衰机制,选用了一系列的大功率白光、蓝光发光二极管分别进行恒流点亮,在点亮不同时间阶段测量其光通量、发光谱及伏安特性。发现在光衰过程中,光通量有时会上升;通过LED光谱测定,发现光谱分布有明显变化;同时,pn结内阻也逐渐变大。研究表明大功率LED光衰有较为复杂的过程:其中荧光粉老化及pn结性能退化是最主要的。文章对此进行了初步的分析,为白光LED的应用及进一步研究白光LED衰减提供了参考。

关 键 词：大功率LED 光谱 光衰 伏安特性

分 类 号：TN383.1]