文献类型：期刊文章

作　　者：王伟娜[1] 方庆清[1] 周军[1] 王胜男[1] 闫方亮[1] 刘艳美[1] 李雁[1] 吕庆荣[1]

机构地区：[1]安徽大学物理与材料科学学院 光电信息获取与控制教育部重点实验室,合肥230039

出　　处：《物理学报》

年　　份：2009

卷　　号：58

期　　号：5

起止页码：3461-3467

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000266384200092)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000266384200092)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上沿c轴方向生长单晶Zn1-xMgxO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)研究了膜厚、Mg含量、退火温度及氧气氛等制备工艺对Zn1-xMgxO薄膜的结构、形貌和光学性质的影响.实验结果表明,Mg含量x≤0.15时,Zn1-xMgxO保持六角纤锌矿结构,0.25≤x≤0.35时为立方结构,经过600℃退火之后,Zn0.75Mg0.25O转化为六角纤锌矿结构;后续退火有利于晶粒长大,一定的氧气氛也有利于减少晶体缺陷和薄膜的c轴应力,但是过量的氧气容易与Mg元素结合形成MgO,不利于ZnO六角纤锌矿结构的生长.对Zn0.925Mg0.075O薄膜进行荧光光谱分析,分析结果表明缺陷发光峰主要与锌空位、锌位氧(OZn)或氧间隙(Oi)等缺陷有关,退火可以使紫外发射峰蓝移.

关 键 词：Zn1-xMgxO薄膜  制备工艺  结构  光学性质

分 类 号：O484]