文献类型：期刊文章

作　　者：李兵[1] 杨传路[2] 齐凯天[1] 张岩[1] 盛勇[1]

机构地区：[1]四川大学材料科学与工程学院,成都610065 [2]鲁东大学物理与电子工程学院,烟台264025

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10674114)资助的课题~~

年　　份：2009

卷　　号：58

期　　号：5

起止页码：3104-3111

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：使用密度泛函理论(DFT)的杂化密度泛函B3LYP方法在6-31G*基组水平上对SimCn(m+n≤7)团簇各种可能的构型进行几何结构优化,预测了各团簇的最稳定结构.并对最稳定结构的平均结合能(Eb),二阶能量差分(Δ2E)和能隙(Eg)等进行了理论研究.结果表明,随着原子个数的增加,SiC二元团簇的结构由线性转变为平面,再转变为三维立体结构,原子数小于5时,除Si5和Si4C外其他所有的团簇都是平面结构;随着C原子增加,SimCn(m+n≤7)团簇的平均单点能不断增加,说明富C簇要比富Si稳定,对Sin团簇掺杂C原子可以提高团簇的稳定性;Cn,SiCn和Si2Cn团簇表现出明显的"奇-偶"振荡和"幻数"效应,Si2C,Si3C,Si5C,SiC2,Si3C2,Si4C2和SiC4团簇比其他团簇更稳定.

关 键 词：SimCn(m+n≤7)团簇  密度泛函理论 结构与性质  

分 类 号：O562]