文献类型：期刊文章

作　　者：徐国亮[1] 吕文静[1] 刘玉芳[1] 朱遵略[1] 张现周[1] 孙金锋[1]

机构地区：[1]河南师范大学物理与信息工程学院,新乡453007

出　　处：《物理学报》

基　　金：河南省教育厅基础研究项目(批准号:2008A140006);国家自然科学基金(批准号:10774039);河南省自然科学基金(批准号:072300410130)资助的课题~~

年　　份：2009

卷　　号：58

期　　号：5

起止页码：3058-3063

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000266384200030)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000266384200030)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用密度泛函B3P86和组态相互作用方法在6-311G**基组水平上计算了二氧化硅分子从基态到前5个激发态的跃迁波长、振子强度、自发辐射系数An0和吸收系数B0n(n=1—5).研究了外电场对二氧化硅分子激发态的影响规律.结果表明,随外电场强度增大,最高占据轨道与最低空轨道能隙变小,占据轨道的电子易于激发至空轨道.因而在外场作用下分子易于激发.

关 键 词：SIO2 激发态 外电场

分 类 号：O561.4]