文献类型：期刊文章

作　　者：黄多辉[1,2] 王藩侯[1] 闵军[1] 朱正和[3]

机构地区：[1]宜宾学院计算物理重点实验室,宜宾644007 [2]宜宾学院物理与电子工程系,宜宾644007 [3]四川大学原子与分子物理研究所,成都610065

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10376022);四川省青年科技基金(批准号:03ZQ026-061);四川省青年基金(批准号:07ZB104);宜宾学院自然科学基金(批准号:2008Z10)资助的课题~~

年　　份：2009

卷　　号：58

期　　号：5

起止页码：3052-3057

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000266384200029)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000266384200029)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用密度泛函理论的B3LYP方法在6-311+G(2DF)水平上研究了电场强度为-0.03—0.03a.u.的外电场对MgO基态分子的几何结构、HOMO能级、LUMO能级、能隙、费米能级、谐振频率和红外光谱强度的影响规律.结果表明,在所加的电场范围内,随着正向电场的增大核间距先减小后增大,在F=0.02a.u.时,Re取得最小为0.17397nm;分子总能量不断升高,但增大的幅度呈减小的趋势;EH先增大后减小,在F=0.01a.u.处取得最大,其值为-0.21765a.u;而EL和Eg则始终减小.随着正向电场的逐渐增大,振动频率逐渐减小.外电场对MgO分子的激发能、振子强度及红外振动光谱的位置和强度均有较大影响.

关 键 词：MGO 外电场 能隙 红外

分 类 号：O561]