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射频磁控溅射法低温制备ZnO∶Zr透明导电薄膜及特性研究 ( EI收录)
Growth and Properties of Transparent Conducting ZnO∶Zr Films by RF Magnetron Sputtering at Low Temperatures
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]山东理工大学物理与光电信息技术学院,淄博255049
年 份:2009
卷 号:29
期 号:3
起止页码:287-291
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号:20092712164411)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。讨论了薄膜厚度对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌、光电性能的影响。实验结果表明,厚度对ZnO∶Zr薄膜的形貌和电学性能有很大影响。SEM和XRD研究结果表明,ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的C轴择优取向。当厚度为300nm时,薄膜的电阻率具有最小值1.77×10-3Ω.cm。所制备薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过92%。
关 键 词:ZnO:Zr薄膜 透明导电薄膜 磁控溅射 薄膜厚度 光电性能
分 类 号:O484.1]
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