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我国光刻胶的市场现状及发展趋势
Market Status Quo and Development Trends of Photoresist in China
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北京科华微电子材料有限公司,北京101312
年 份：2009
卷 号：17
期 号：9
起止页码：28-31
语 种：中文
收录情况：CAS、普通刊
摘 要：现代微电子技术按照摩尔定律在不断发展．光刻技术也经历了从G线（436nm），I线（365nm），到深紫外248nm．及目前的193nm光刻的发展历程．相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生．光刻胶中的关键组分，如成膜树脂、感光剂、添加剂也随之发生变化．使光刻胶的综合性能能更好地满足集成工艺制程要求。目前集成电路制作中使用的主要光刻胶见表1。
关 键 词：光刻胶 发展趋势 市场现状 193nm光刻 微电子技术 光刻技术 摩尔定律 成膜树脂
分 类 号：TN305.7] F426.7]
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