文献类型：期刊文章

作　　者：江伟[1,2] 王怡[1] 邢光建[1] 武光明[1] 李东临[1]

机构地区：[1]北京石油化工学院数理系,北京102617 [2]北京化工大学材料科学与工程系,北京100029

出　　处：《真空》

年　　份：2009

卷　　号：46

期　　号：3

起止页码：38-41

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频磁控溅射的方法制备Zn掺杂TiO2薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备Au/TiO2/Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器,研究其光电特性。实验结果表明,Zn掺杂TiO2紫外探测器在250nm、5V偏压紫外光照下光电流约为500μA,其响应度为100A/W,平均暗电流约为0.5μA;由于ZnO/TiO2复合薄膜之间的费米能级不同而形成的内建电场作用,减少了产生的光生电子与空穴的复合,得到较强的光电流。且其光响应的上升迟豫时间约为22s,下降响应时间约为80s;响应时间较长是由于广泛分布于薄膜中的缺陷而造成的。结果表明Zn掺杂TiO2可作为一种良好的紫外探测材料。

关 键 词：射频磁控溅射 Zn掺杂TiO2薄膜  MSM紫外探测器 光响应

分 类 号：TN36]