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期刊文章详细信息

铁电薄膜及铁电存储器的研究进展  ( EI收录)  

Advances in Research on Ferroelectric Thin Films and Ferroelectric Memory

  

文献类型:期刊文章

作  者:周益春[1] 唐明华[1]

机构地区:[1]湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室,湘潭411105

出  处:《材料导报》

基  金:高等学校科技创新工程重大项目培育资金项目(076044);国家自然科学基金项目(60876054)

年  份:2009

卷  号:23

期  号:9

起止页码:1-19

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘  要:铁电薄膜是具有铁电性且厚度尺寸为数纳米到数微米的薄膜材料,因其在非挥发性铁电随机存储器方面的潜在应用而受到广泛关注。综述了新型无铅、无疲劳Bi4Ti3O12(BIT)基铁电薄膜材料的制备和改性及性能表征方法,阐述了铁电薄膜的3种失效机制及铁电薄膜存储器的研究现状,最后提出了铁电薄膜及存储器今后可能的研究方向。

关 键 词:铁电薄膜 掺杂改性 失效机制  铁电薄膜存储器  

分 类 号:TN384]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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