文献类型：期刊文章

作　　者：郭连权[1] 武鹤楠[1] 刘嘉慧[2] 马贺[1] 宋开颜[1] 李大业[1]

机构地区：[1]沈阳工业大学理学院,沈阳110023 [2]沈阳工业大学基础教育学院,沈阳110023

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：沈阳工业大学博士基金资助项目(No.521101302)

年　　份：2009

卷　　号：38

期　　号：2

起止页码：440-444

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20092112091401)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文采用基于密度泛函理论框架下第一性原理的平面波赝势方法,并采用局域密度近似(LDA)理论和ABINIT软件对ZnO电子结构进行了计算。得到了ZnO的能带和态密度曲线。研究表明,ZnO的价带基本上可以分为三个区域,即下价带区、上价带区和位于-18.1eV处的宽度为1.1eV的价带;导带部分主要是由Zn的4s态贡献的,O的2p态在该区域内具有微弱的贡献;ZnO是一种直接宽禁带半导体,导带底和价带顶位于布里渊区中心处,带隙为0.9eV,相对比较该结果优于一些文献给出的计算值。

关 键 词：ZNO 第一性原理 密度泛函理论 能带  带隙

分 类 号：O73]