文献类型：期刊文章

作　　者：李智伟[1] 陈浩[1] 宋华冰[1] 余洲[1] 杨治美[2] 高艳丽[1] 张云森[1] 刘俊刚[3] 龚敏[2] 孙小松[1]

机构地区：[1]四川大学材料科学与工程学院,成都610064 [2]四川大学物理科学与技术学院,微电子科学与技术四川省重点实验室,成都610064 [3]重庆光电技术研究所,重庆400060

出　　处：《半导体光电》

基　　金：四川省科技厅重点研究项目(2006Z08-001-2)

年　　份：2009

卷　　号：30

期　　号：2

起止页码：215-219

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用微电化学催化腐蚀法制备了硅纳米线阵列,通过扫描电镜(SEM)观察了样品的表面形貌。用荧光光谱仪测量了有序硅纳米线阵列的光致发光特性,发现当激发波长增加时,有序硅纳米线阵列的光致发光峰位单调红移,发光强度也单调增强。对比多孔硅的发光机理和现有实验条件,对有序硅纳米线阵列可能的发光机理进行了讨论。

关 键 词：微电化学氧化还原反应  硅纳米线阵列  多孔硅 光致发光光谱 扫描电镜 发光机理

分 类 号：TN383.2]