期刊文章详细信息
低温PECVD法制备半导体的复合钝化膜
Preparation Compound Passivation Film of Semiconductor by Low Temperature PECVD Means
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]济南市半导体元件实验所 [2]济南市新技术研究所
年 份：1998
期 号：2
起止页码：35-36
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：本文主要是以ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ和Ｓｉ３Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２作为气体源，在平行板电容耦合式淀积设备上，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合钝化膜。
关 键 词：钝化 淀积 腐蚀 复合纯化膜 半导体器件 PECVD法
分 类 号：TN305.2]
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