文献类型：期刊文章

作　　者：蒋平[1,2] 吴雪梅[1,2] 诸葛兰剑[3,2] 吴兆丰[1,2]

机构地区：[1]苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006 [2]江苏省薄膜材料重点实验室,江苏苏州215006 [3]苏州大学分析测试中心,江苏苏州215006

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10275047;10575073);江苏省高校自然科学基金资助项目(03KJB140116)

年　　份：2009

卷　　号：40

期　　号：4

起止页码：560-563

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si（111）和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜，分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质。实验表明，采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的（002）峰和（101）峰的两种取向。在沉积气压〉1．0Pa时所制备的ZnO薄膜具有（002）择优取向，并且十分稳定。SEM图表明，ZnO薄膜颗粒大小较为均匀，晶粒尺寸随着气压升高而变小，沉积气压不同时，薄膜样品的生长方式有所差异。在400～1000nm范围内，可以看出除0．5Pa下制备的ZnO薄膜外，其余ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过80％，吸收边在380nm附近，所对应的光学带隙约为3．23～3．27eV，并随着沉积气压上升而变大。ZnO薄膜的PL谱上观察到了392nm的近紫外峰和419nm的蓝峰；沉积气压对ZnO薄膜的发光峰位和峰强有影响。

关 键 词：射频磁控溅射 ZNO薄膜 透射率 光学带隙 PL谱

分 类 号：O484] O472[物理学类]