期刊文章详细信息
具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器
808 nm high power semiconductor lasers with high characteristic temperature
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022
基 金：国防科工委;高功率半导体激光国家重点实验室资助项目!(98JS36.3 .1;CS3602)
年 份：1999
卷 号：20
期 号：6
起止页码：388-389
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。
关 键 词：半导体激光器 液相外延 分别限制单量子阱 特征温度
分 类 号：TN248.4]
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