文献类型：期刊文章

作　　者：黄世震[1] 罗志聪[1] 孙奇燕[1] 陈勖[2]

机构地区：[1]福州大学福建省微电子与集成电路重点实验室,福州350002 [2]香港创辉电脑有限公司,深圳518000

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10871221)

年　　份：2009

卷　　号：39

期　　号：2

起止页码：233-236

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于0.18μm CMOS工艺,采用间接闭环控制方式,设计出一个适用于Class 1蓝牙E类功率放大器的低成本、高集成度输出功率控制电路。输出级电源电压采用类似LDO的结构控制。提出了一种新颖的一阶线性偏置电压结构,实现对输出级偏置电压的控制,极大地改善了功放的功率增益相对于控制电压的线性度,提高了PAE,最终实现了对输出功率2 dBm的步进控制。后仿真结果表明,输出功率控制精度较高,并具有较好的温度特性。

关 键 词：间接闭环  E类功率放大器 功率步进控制  

分 类 号：TN722.75]