期刊文章详细信息
CMOS电路抗闩锁研究
CMOS Circuit Against Latch-up Research
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032 [2]东软飞利浦医疗设备系统有限责任公司,沈阳110179
年 份：2009
卷 号：30
期 号：1
起止页码：14-15
语 种：中文
收录情况：ZGKJHX、普通刊
摘 要：闩锁效应是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,在Vdd和Vss之间产生大电流,从而造成电路失效,严重的会造成电路自我烧毁。介绍了闩锁效应的原理及产生的条件,并从设计和工艺两方面详细介绍了防止和消除闩锁效应的方法。
关 键 词：CMOS电路 抗闩锁 可控硅
分 类 号：TN4]
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