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期刊文章详细信息

CMOS电路抗闩锁研究    

CMOS Circuit Against Latch-up Research

  

文献类型:期刊文章

作  者:康晓锋[1] 李威[1] 李东珊[2]

机构地区:[1]中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳110032 [2]东软飞利浦医疗设备系统有限责任公司,沈阳110179

出  处:《微处理机》

年  份:2009

卷  号:30

期  号:1

起止页码:14-15

语  种:中文

收录情况:ZGKJHX、普通刊

摘  要:闩锁效应是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,在Vdd和Vss之间产生大电流,从而造成电路失效,严重的会造成电路自我烧毁。介绍了闩锁效应的原理及产生的条件,并从设计和工艺两方面详细介绍了防止和消除闩锁效应的方法。

关 键 词:CMOS电路 抗闩锁  可控硅

分 类 号:TN4]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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