期刊文章详细信息
外加压力时双纳米线中浅施主杂质的性质
Studies on property of shallow donor impurity in symmetrical double nanometer-wires under compressive stress
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]河北科技大学招生就业处,河北石家庄050018 [2]河北科技大学理学院,河北石家庄050018 [3]河北科技大学研究生学院,河北石家庄050018
基 金:河北省自然科学基金资助项目(A2006000299);河北科技大学科研基金资助项目(XL200851)
年 份:2009
卷 号:30
期 号:1
起止页码:13-16
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、DOAJ、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要:在有效质量近似下,采用简单的尝试波函数变分地计算了压力对浅施主杂质在对称GaAs/Ga1-xAlxAs双纳米线中的束缚能的影响:计算了线宽、施主离子位置及垒宽对体系束缚能的影响,发现随压力增加和垒宽的减小双线间的耦合越来越强;体系束缚能随线宽显示出非线性行为,并且在线宽较小时体系束缚能有一最大值,所得结果和前人计算符合很好。
关 键 词:纳米线 浅施主杂质 束缚能
分 类 号:O471.1]
参考文献:
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