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期刊文章详细信息

外加压力时双纳米线中浅施主杂质的性质    

Studies on property of shallow donor impurity in symmetrical double nanometer-wires under compressive stress

  

文献类型:期刊文章

作  者:朱立坤[1] 白占国[2] 咸立芬[2] 白志明[2,3]

机构地区:[1]河北科技大学招生就业处,河北石家庄050018 [2]河北科技大学理学院,河北石家庄050018 [3]河北科技大学研究生学院,河北石家庄050018

出  处:《河北科技大学学报》

基  金:河北省自然科学基金资助项目(A2006000299);河北科技大学科研基金资助项目(XL200851)

年  份:2009

卷  号:30

期  号:1

起止页码:13-16

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、DOAJ、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘  要:在有效质量近似下,采用简单的尝试波函数变分地计算了压力对浅施主杂质在对称GaAs/Ga1-xAlxAs双纳米线中的束缚能的影响:计算了线宽、施主离子位置及垒宽对体系束缚能的影响,发现随压力增加和垒宽的减小双线间的耦合越来越强;体系束缚能随线宽显示出非线性行为,并且在线宽较小时体系束缚能有一最大值,所得结果和前人计算符合很好。

关 键 词:纳米线 浅施主杂质  束缚能

分 类 号:O471.1]

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同被引文献:

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