文献类型：期刊文章

作　　者：李锋[1] 江晓[1] 林成生[1] 陈炼[1] 梁福田[1] 金革[1]

机构地区：[1]中国科学技术大学安徽省物理电子学重点实验室,合肥230026

出　　处：《强激光与粒子束》

基　　金：国家高技术发展计划项目;博士点基金项目资助(20050358047)

年　　份：2009

卷　　号：21

期　　号：2

起止页码：291-296

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20091712054066)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：ICF实验会产生大量X射线和γ射线,其在光电倍增管(PMT)中产生的脉冲信号过大,导致前端电子学电路饱和,严重影响电路的正常工作和中子飞行时间的测量。结合前端电子学系统的结构,对电路饱和的原因进行了深入分析,提出了非线性抗饱和电路改进方案,并进行了仿真和实验研究。仿真结果表明,该设计方案能够大幅衰减大信号而确保小信号的通过,信号通过后电路基线能在35 ns内恢复;电路的实测结果与仿真结果基本相同。这表明:采取的方案简洁有效,能够确保输入高达数十V脉冲的情况下电路的正常工作。目前这一电路已经得到应用,并将安装在某大型激光原型的大阵列中子探测器上。

关 键 词：ICF 前端电子学  抗饱和 闪烁探测器

分 类 号：TL82]