期刊文章详细信息
在不同时间下退火对非晶硅薄膜晶化的影响 ( EI收录)
Investigations on Effect of Annealing on Crystallization of Amorphous Silicon Films at Different Times
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南阳理工学院太阳能电池研究所,南阳473004 [2]郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州450052
年 份：2008
卷 号：22
期 号：3
起止页码：209-210
语 种：中文
收录情况：CAS、EI、IC、JST、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、普通刊
摘 要：用玻璃作衬底在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,在400℃和500℃分别光退火5min、10min、20min、30min、40min、60min、120min,用拉曼光谱分析前后样品,发现随着晶化时间的延长晶化效果越好,500℃退火的薄膜比400℃的晶化效果好。
关 键 词：PECVD法 非晶硅薄膜 光退火晶化 拉曼光谱
分 类 号：TM914.42]
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