文献类型：期刊文章

作　　者：张万荣[1] 李志国[1] 郭伟玲[1] 孙英华[1] 穆甫臣[1] 程尧海[1] 沈光地[1] 罗晋生[2]

机构地区：[1]北京工业大学电子工程系 [2]西安交通大学微电子研究所

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家教委博士点基金;北京市科技新星计划

年　　份：1998

卷　　号：23

期　　号：3

起止页码：46-52

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时，往往受到应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料参数缺乏的制约。本文建立和给出了常温和低温下重要应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层材料和Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ器件物理参数模型，对Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ异质结器件的理解、研究和设计有重要的实际意义。

关 键 词：应变层 有效态密度  物理参数 硅  锗  

分 类 号：TN304.11] TN304.12