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期刊文章详细信息

氢促进位错发射的分子动力学模拟    

  

文献类型:期刊文章

作  者:周国辉[1] 周富信[2] 赵雪丹[3] 张文清[3] 陈难先[3] 万发荣[1] 褚武扬[1]

机构地区:[1]北京科技大学材料物理系,北京100083 [2]中国科学院力学研究所,北京100080 [3]北京科技大学应用物理研究所,北京100083

出  处:《中国科学(E辑)》

基  金:国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :19392 30 0 6 )

年  份:1998

卷  号:28

期  号:1

起止页码:1-5

语  种:中文

收录情况:CSCD、CSCD2011_2012、JST、普通刊

摘  要:利用第一原理和陈氏三维晶格反演公式获得了Al和H的互作用对势 .分子动力学计算表明 ,当Al晶体中含H时 ,裂尖发射位错的临界应力强度因子从0 .1 1MPam降低为 0 .0 75MPam(CH=0 .72 % )和 0 .0 6MPam(CH=1 .44% ) ,即氢促进了位错的发射 .计算表明 ,氢在裂尖富集后能形成许多小气团 。

关 键 词:位错发射 分子动力学 计算机模拟 金属

分 类 号:TG111] TB301]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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