期刊文章详细信息
中频磁控溅射制备AlN薄膜
AlN films deposited by middle-frequency magnetron sputtering
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]武汉大学加速器实验室,武汉430072
基 金：国家自然科学基金(10675095;10875091)资助
年 份：2009
卷 号：32
期 号：3
起止页码：169-172
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：设计了一套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置,并在Si(111)衬底上沉积AlN薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AlN薄膜的结构、形貌和成分。在优化的实验条件下制备的AlN薄膜具有较强的(002)衍射峰,其半高宽为612–648弧秒。气体流量、衬底偏压、离子源等对薄膜结构有明显影响。
关 键 词：中频磁控溅射 ALN 阳极层离子源
分 类 号：O484.1] O47[物理学类]
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