期刊文章详细信息
3D IC集成与硅通孔(TSV)互连
3D IC Stacking with TSV Interconnect
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东燕郊101601
年 份：2009
卷 号：38
期 号：3
起止页码：27-34
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：介绍了3维封装及其互连技术的研究与开发现状,重点讨论了垂直互连的硅通孔(TSV)互连工艺的关键技术及其加工设备面临的挑战,提出了工艺和设备开发商的应对措施并探讨了3DTSV封装技术的应用前景。
关 键 词：3D封装 芯片互连 深硅刻蚀 硅通孔(TSV) TSV刻蚀系统
分 类 号：TN405.97]
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