文献类型：期刊文章

作　　者：张荣涛[1] 许丽[2] 吴克跃[3]

机构地区：[1]贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵州贵阳550025 [2]山西大同大学物理系,山西大同037003 [3]皖西学院数理系,安徽六安237012

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金(10764002);贵州省研究生创新基金(省研理工2007001)资助课题。

年　　份：2009

卷　　号：29

期　　号：3

起止页码：743-746

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20091412008373)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用飞秒激光辐照硅和硅锗样品,用扫描电子显微镜(SEM)观察样品,发现样品上产生了某些低维结构。用飞秒激光作用产生等离子体相干驻波对硅和硅锗表面的融蚀模型来解释低维结构的形成机制,发现硅的表面周期约为400 nm的光栅结构在波长719 nm处有较强的光致荧光(PL)峰。该光致荧光的发光强度较小,其机制可从激光的脉宽和重复率两个方面来分析。当激光辐照的能量明显超过硅的融蚀阈值时,光栅形状消失,另一种锥状结构开始形成。控制加工条件,可以获得用于衍射和微分束的纳米光栅。

关 键 词：激光技术  飞秒激光 低维结构 等离子体波 光致荧光

分 类 号：TN249]