文献类型：期刊文章

作　　者：廖克俊[1] 王万录[1] 冯斌[1]

机构地区：[1]重庆大学应用物理系

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1998

卷　　号：47

期　　号：3

起止页码：514-519

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1998054218722)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用扫描电子显微镜、Ｒａｍａｎ谱和Ｘ射线光电子能谱，研究了Ｓｉ衬底上热灯丝ＣＶＤ金刚石膜的核化和早期生长．在－３００Ｖ和１００ｍＡ条件下预处理１５ｍｉｎ，镜面抛光的Ｓｉ（１００）表面上金刚石核密度超过了１０９ｃｍ－２，但是核的分布极不均匀且可分为三个区域：Ａ区，边缘处以锥体为主；Ｂ区，位于边和中心之间过渡区是纳米金刚石；Ｃ区，中心处有ＳｉＣ层．无偏压下生长４ｈ后，Ａ区形成许多大而弧立的金刚石颗粒，Ｂ区成为织构金刚石膜，而Ｃ区变为含有大量缺陷的连续金刚石膜．衬底负偏压增强金刚石核化是由于离子轰击和发射电子同时作用的结果，离子流本身的不均匀导致核化的不均匀性．

关 键 词：CVD 金刚石 薄膜  核化 硅衬底 核化 早期生长  

分 类 号：TN304.18] TN304.055