文献类型：期刊文章

作　　者：傅柔励[1] 叶红娟[1] 李蕾[2] 傅荣堂[2] 缪健[2] 孙鑫[2] 张志林[3]

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 [2]复旦大学李政道物理学综合实验室 [3]上海大学嘉定分校材料学院

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划

年　　份：1998

卷　　号：47

期　　号：1

起止页码：94-101

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1998044172945)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：用同时计入电场、对称破缺项ｔｅ和电子晶格相互作用的紧束缚模型研究了电场作用下高分子中的自陷束缚激子．发现电场使高分子中自陷束缚激子内电荷发生转移，出现极化．极化程度随场强增加，也与ｔｅ有关．并发现ｔｅ≤０．１ｅＶ时，双激子态表现出反向极化特性，这一特性可根据极化的量子力学理论得到理解：对高分子的自陷束缚激子，其禁带中央附近存在两个靠得很近的定域电子态即上定域态和下定域态，用微扰论说明了上定域态是反向极化而下定域态为正向极化；双激子态即上定域态被占而下定域态空着，当ｔｅ不大时，双激子态的极化就是反向的．

关 键 词：电致发光器件 电场 高分子 自陷束缚  激子 极化

分 类 号：TN383.101]