期刊文章详细信息
微波ECR-CVD低温SiN_x薄膜的氢含量分析 ( EI收录)
Hydrogen Content of SiN_x Films Deposited by ECR-CVD at Low Temperature
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料实验室,苏州215006
年 份：1998
卷 号：29
期 号：1
起止页码：89-91
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1999384739248)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振( ECR)等离子体化学气相沉积 ( CVD)法在低温条件下制备的 Si Nx 膜的键结构和氢含量 ,分析了微波功率和后处理条件对膜含氢量的影响及其成因 ,提出适当提高微波功率是降低微波 ECR- CVD低温 Si Nx 膜中氢含量的可能途径。
关 键 词：薄膜 氢含量 微波 ECR-CVD 低温 氮化硅
分 类 号：O484.5]
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