文献类型：期刊文章

作　　者：胡云志[1,2] 孙会元[1]

机构地区：[1]河北师范大学物理科学与信息工程学院,河北省新型薄膜材料实验室,石家庄050016 [2]科学出版社高等教育出版中心,北京100717

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10274018);河北师范大学博士基金(批准号:L2006B10)资助的课题~~

年　　份：2009

卷　　号：58

期　　号：2

起止页码：1242-1245

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000263758200090)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000263758200090)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是逐步解体的,而且三类硬磁畴具有相同的临界面内场范围[Hi1p,Hi2p],其中Hi1p是硬磁畴中VBL开始丢失时的临界面内场,H2ip是VBL完全丢失时的最小临界面内场.实验结果还揭示了面内场作用下VBL链的解体与硬磁畴的硬度无关,为解释面内场作用下VBL的消失机制提供了重要线索.此外,还为准确测量VBL的临界面内场提供了一种新方案.

关 键 词：硬磁畴 整形  垂直布洛赫线

分 类 号：O484.1]