文献类型：期刊文章

作　　者：周俐娜[1,2] 张新亮[1] 徐恩明[1] 黄德修[1]

机构地区：[1]华中科技大学武汉光电国家实验室(筹)和光电子科学与工程学院,武汉430074 [2]中国地质大学物理系,武汉430074

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重大基础研究计划(批准号:2006CB320805);教育部新世纪优秀人才支持计划项目(批准号:NCET-04-0715)资助的课题~~

年　　份：2009

卷　　号：58

期　　号：2

起止页码：1036-1041

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：对基于半导体光放大器(SOA)环形腔结构的一阶无限冲击响应(ⅡR)微波光子学滤波器的品质因数(Q值)进行了实验和理论研究.通过在有源环内置入窄带光滤波器,并调节有源环的输入光功率、SOA抽运电流、实验得到的最高Q值接近200.理论分析表明为了得到较高的Q值,应尽可能提高信噪比和信号光的环路增益.在考虑了SOA中放大的自发辐射(ASE)噪声的基础上,计算了输入光功率、SOA抽运电流、环内光滤波器的带宽对Q值的影响.数值计算的结果与实验现象基本符合.

关 键 词：微波光子学滤波器  Q值 半导体光放大器 放大的自发辐射  

分 类 号：TN713]