文献类型：期刊文章

作　　者：储向峰[1] 白林山[1] 李玉琢[1,2]

机构地区：[1]安徽工业大学化学与化工学院,安徽马鞍山243002 [2]Clarkson大学化学系先进材料制造中心,美国纽约13699

出　　处：《微纳电子技术》

年　　份：2009

卷　　号：46

期　　号：2

起止页码：115-118

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：电化学机械抛光(ECMP)技术可以在低压力下进行,有可能替代化学机械抛光(CMP)技术,满足含易碎、低介电常数材料的小尺寸特征结构的ULSI中Cu的抛光要求。利用自制的抛光液和改装的抛光机对晶圆片和图案晶圆片上的Cu进行电化学机械抛光,研究了抛光电压、抛光台转速、抛光压力和抛光液流量对抛光速率的影响,发现在抛光电压为4.7V、流量为150～200mL/min、抛光台转速为30～40r/min、抛光压力为3.45kPa时能达到较好的抛光速率。考察了抛光电压对图案晶圆片上台阶高度减小效率的影响,发现台阶高度减小效率随抛光电压增大而减小,并且对抛光机理做了初步分析。

关 键 词：超大规模集成电路 铜 电化学机械抛光  化学机械抛光 抛光机理  

分 类 号：TN305.2] O614.121]