文献类型：期刊文章

作　　者：周元俊[1] 谢自力[1] 张荣[1] 刘斌[1] 李弋[1] 张曾[1] 傅德颐[1] 修向前[1] 韩平[1] 顾书林[1] 郑有炓[1]

机构地区：[1]南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家重点基础研究发展规划973(2006CB6049);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142);国家自然科学基金(60721063;60676057;60731160628)

年　　份：2009

卷　　号：46

期　　号：2

起止页码：108-114

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段。分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介绍了采用XRD测量半导体薄膜的晶格参数;结合晶格参数的测量讨论了半导体异质结构的应变与应力;重点介绍了利用Mosaic模型分析位错密度,其中比较了几种不同的通过XRD处理Mosaic模型,且讨论了它们计算位错密度时的优劣。综合XRD技术的理论及在以上几个方面的最新研究进展,对XRD将来的发展做出了展望。

关 键 词：X射线衍射 晶格参数  应力 应变  位错密度 Mosaic模型  

分 类 号：O72] O472