期刊文章详细信息
不同SnO_2晶体结构的力学性能及电子结构 ( SCI收录)
Mechanical Properties and Electronic Structures of Various SnO_2 Crystal Structures
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]昆明理工大学,稀贵及有色金属先进材料教育部重点实验室及云南省新材料制备与加工重点实验室,昆明650093
基 金:"973"前期研究专项课题(2008CB617609);国家自然科学基金(50361003);昆明理工大学创新基金资助项目
年 份:2009
卷 号:25
期 号:2
起止页码:278-284
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、PUBMED、RCCSE、RSC、SCI(收录号:WOS:000263643100014)、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000263643100014)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,用广义梯度近似(GGA)PBE交换相关泛函,对高压相变产生五种不同SnO2晶体结构的电子结构和力学性质进行了第一性原理计算.计算结果表明,Pnam型SnO2的形成相对困难,体模量较大,Pbca和Pnam型SnO2的维氏硬度值相差不明显.不同晶体结构的带隙存在差异,导带区域电子分布和弥散程度大于价带区域,局域性差.五种SnO2晶体结构的价带部分约在-10-0eV和-20--15eV处,主要贡献来自于O2p、2s轨道.光学性质计算表明,Pnam结构对紫外波段光的吸收最明显,同时给出电子轨道跃迁规律.
关 键 词:氧化锡 压强 第一性原理 光学性质
分 类 号:O641.4]
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