文献类型：期刊文章

作　　者：邢海英[1] 范广涵[1] 章勇[1] 赵德刚[2]

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50602018);广东省自然科学基金(批准号:06025083);广东省科技攻关计划(批准号:2006A10802001);广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z12D0071);粤港关键领域重点突破项目(批准号:207A010501008)资助的课题~~

年　　份：2009

卷　　号：58

期　　号：1

起止页码：450-458

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000262834300070)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000262834300070)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(TC)升高,并在1.0eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2(F)态跃迁的较强的光吸收,而Mn掺杂GaN时位于1.3eV处的吸收峰消失;Si共掺后没能使TC升高,且在低能区无光吸收现象.

关 键 词：Mg  Si和Mn共掺GaN  电子结构 居里温度(TC)  光学性质

分 类 号：O482]