文献类型：期刊文章

作　　者：谢茂林[1] 罗德礼[1] 鲜晓斌[1] 冷邦义[1] 陈伟[1] 鲁伟员[2] 范辉[1]

机构地区：[1]中国工程物理研究院,绵阳621900 [2]四川艺精超硬材料有限公司,江油621700

出　　处：《中国陶瓷》

年　　份：2009

卷　　号：45

期　　号：1

起止页码：19-22

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以纳米SiC为原料,用两面顶压机在不同工艺条件下(1100-1300℃,4.0-4.5GPa,20-35min)实现了无烧结助剂添加的SiC陶瓷体的烧结。研究了烧结工艺对SiC陶瓷性能的影响。用XRD、SEM、显微硬度测试仪等对SiC高压烧结体进行了表征。结果表明:采用超高压工艺可实现无烧结助剂SiC陶瓷高致密化烧结;烧结体晶粒长大得到抑制,维持在纳米级,晶格常数收缩发生了收缩;烧结体显微硬度和密度随烧结温度、烧结压力、保温时间的升高或延长而提高。在4.5GPa/1250℃/35min的超高压烧结条件下烧结的无烧结助剂SiC致密度达到96%,且显微硬度达到Hv1.963850。

关 键 词：碳化硅 烧结  超高压

分 类 号：TQ174.653.8]