文献类型：期刊文章

作　　者：刘明[1] 王子欧[1] 何宇亮[1] 江兴流[1]

机构地区：[1]北京航空航天大学应用物理系

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1998

卷　　号：47

期　　号：4

起止页码：699-704

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：用纳米硅（ｎｃＳｉ∶Ｈ）薄膜制成了隧道二极管，并在其ＩＶ曲线上发现了不连续的量子化台阶．二极管的ＩＶ曲线可分成二部分：（１）０—７Ｖ，电流随外加电压增大而增大；（２）７—９Ｖ，电流随外加电压急剧增大并出现三个量子化台阶．量子化台阶的出现直接与纳米硅中的晶粒有关，根据ｎｃＳｉ∶Ｈ的独特结构，对载流子的传导通道进行了讨论；用通过ｎｃＳｉ∶Ｈ中量子点的共振隧穿对ＩＶ曲线进行了初步解释．

关 键 词：量子阱  薄膜  纳米硅 量子点 共振隧穿

分 类 号：O471.1]