文献类型：期刊文章

作　　者：刘明[1] 何宇亮[1] 江兴流[1] 李国华[2] 韩和相[2]

机构地区：[1]北京航空航天大学应用物理系 [2]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1998

卷　　号：47

期　　号：5

起止页码：864-870

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX1996、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：1998074298835)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：用等离子体增强化学汽相淀积法系统制备了发光纳米硅（ｎｃＳｉ∶Ｈ）薄膜．讨论了晶粒尺寸和表面结构对光致发光（ＰＬ）谱的影响．用量子限制发光中心模型解释了ｎｃＳｉ∶Ｈ的ＰＬ．研究了ＰＬ谱的温度特性．温度从１０Ｋ上升到２５０Ｋ，ＰＬ峰值红移了５４ｍｅＶ，且ＰＬ强度衰减了两个数量级．

关 键 词：PL谱 晶粒尺寸 纳米硅 薄膜  光致发光谱

分 类 号：O48]