文献类型：期刊文章

作　　者：杨杰[1] 王茺[1] 欧阳焜[1] 杨瑞东[1,2] 刘芳[1] 杨宇[1]

机构地区：[1]云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所,云南昆明650091 [2]红河学院物理系,云南蒙自661100

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60567001)

年　　份：2009

卷　　号：40

期　　号：1

起止页码：135-138

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20091111955505)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用离子束溅射技术并按正交试验方案生长了不同厚度以及在不同条件下退火的Ge纳米薄膜,用AFM图谱对薄膜的表面形貌进行了表征。结果表明厚度为2.8nm的Ge膜在600℃下退火10min,出现了高4nm、直径50nm左右的Ge岛,而10nm厚的Ge膜在720℃下退火120min,岛的数量较多且分布比较均匀。通过离子束溅射机理和沉积原子之间的扩散运动,对这些现象进行了较为合理的解释。

关 键 词：离子束溅射 Ge纳米薄膜  表面形貌 退火

分 类 号：O484.1]