期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]北京工业大学北京市嵌入式系统重点实验室,北京100022
年 份:2009
卷 号:26
期 号:1
起止页码:16-20
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2008、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要:基于SMIC0.18μm1P6M的标准CMOS工艺,设计并实现了一种带温度补偿和工艺偏差校准的60MHz片上CMOS时钟振荡器.经仿真和流片测试验证,该结构的时钟振荡器输出频率能很好的稳定在60-61MHz,温度从-25℃变化至75℃时,频率仅变化108.5kHz,在对时钟精度要求不高的应用下,完全可以取代片外的石英晶振,降低成本.
关 键 词:温度补偿 工艺偏差校准 环形振荡器 带隙基准
分 类 号:TN752]
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