文献类型：期刊文章

作　　者：程东[1] 严志军[1] 严立[2]

机构地区：[1]大连海事大学轮机工程学院,大连116026 [2]大连海事大学金属工艺研究所,大连116026

出　　处：《金属学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目50071014~~

年　　份：2008

卷　　号：44

期　　号：12

起止页码：1461-1464

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20090711906426)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000262563500010)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000262563500010)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：运用分子动力学方法模拟了Cu/Ni薄膜结构在纳米压入和微摩擦过程位错的运动规律,探讨了薄膜结构中位错与界面的相互作用规律.结果表明:Cu/Ni多层膜结构中的层间界面会阻碍位错继续向材料内部扩展,阻碍作用主要来自于两个方面:界面失配位错网对位错运动的排斥阻力使其难以到达或穿过界面;由弹性模量差而产生的界面镜像力使位错被限制在Cu单层膜内运动.这种阻碍作用有利于提高Cu/Ni多层薄膜的力学性能.

关 键 词：Cu/Ni多层膜  分子动力学模拟 失配位错 镜像力  

分 类 号：TG146.1[材料类]