期刊文章详细信息
衬底防反灌电路的设计
A Circuit Designed to Avoid Current Flowing Backwards to the Substrate
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]重庆邮电大学,重庆市400065 [2]上海南麟电子有限公司,上海市201203
年 份：2008
卷 号：34
期 号：12
起止页码：14-16
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：以采样电路为对象,采用CMOS工艺,利用耗尽型场效应管的V-I特性设计电路,达到输入电压低于输出电压时,防止输出端的高电位向衬底反灌电流的目的。本设计能够在全输入电压范围内直接检测,并且不需要外部偏置电流源。在3V～5V的输入电压范围内仿真,最功耗60μW,在1μs内输出所需要逻辑信号,输入电压回升时具备40mV(可调)的延迟。可以有效防止输出端高电位向衬底反灌以及输入电压不稳定引起的输出信号跳动。
关 键 词：电流反灌 CMOS 耗尽型场效应管
分 类 号：TN432]
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