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期刊文章详细信息

纳米CMOS工艺下集成电路可制造性设计技术    

  

文献类型:期刊文章

作  者:程玉华[1]

机构地区:[1]北京大学上海微电子研究院,上海201203

出  处:《中国科学(E辑)》

基  金:国家自然科学基金资助项目(批准号:60736030)

年  份:2008

卷  号:38

期  号:6

起止页码:968-978

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD2011_2012、核心刊

摘  要:简要讨论纳米CMOS工艺下集成电路的可制造性设计(DFM)技术.首先讨论纳米CMOS中与制造性有关的工艺和器件问题,然后探讨DFM需要的工艺和器件建模工作.最后对包括有可制造性设计技术的集成电路设计流程和能较好地在大规模集成电路设计环境中开发设计/制造交互界面的有关EDA做简单介绍.

关 键 词:可制造性设计(DFM)  基于成品率的设计  纳米CMOS集成电路设计集成电路设计方法学  CMOS设计技术平台  

分 类 号:TN402]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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