文献类型：期刊文章

作　　者：宋海岸[1] 叶小娟[1] 钟伟[1] 都有为[1]

机构地区：[1]南京大学南京微结构国家实验室,南京210093

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家自然科学基金项目(10674059;50471049);国家重点基础研究发展规划(973)项目(2005CB623605)

年　　份：2008

卷　　号：45

期　　号：12

起止页码：698-702

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：采用溶胶-凝胶技术和旋涂的方法,在Si(100)衬底上制备了Ni掺杂和(Ni、Li)共掺的3种ZnO薄膜(Ni0.10Zn0.90O、Ni0.10Li0.05Zn0.85O和Ni0.10Li0.10Zn0.80O)。X射线衍射分析表明,所有薄膜样品均为纤锌矿结构,未发现其他杂相。光致发光研究表明,(Ni、Li)共掺后出现了410nm左右的紫外发光峰,并随Li浓度的增加发光峰变强,该峰与Li杂质能级有关,同时观察到O2-空位引起的610nm和740nm的两个红色发光峰。薄膜中Ni离子为+2价,取代Zn离子的位置。掺杂的ZnO薄膜呈现室温铁磁性,单个Ni原子的饱和磁矩可达到0.210μB,掺入Li或在N2气氛中退火后,都导致单个Ni原子的饱和磁矩降低。铁磁性来源于电子调制的机制。

关 键 词：稀磁半导体 溶胶-凝胶 旋涂 铁磁性 光致发光

分 类 号：TN304.21] TN305.3