文献类型：期刊文章

作　　者：陈序良[1] 周敏[1] 姚曼[1,2] Phillpot S R[3]

机构地区：[1]大连理工大学材料科学与工程学院,大连116023 [2]三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学,大连116023 [3]佛罗里达大学材料科学与工程系,佛罗里达美国32611

出　　处：《原子与分子物理学报》

年　　份：2008

卷　　号：25

期　　号：6

起止页码：1301-1306

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RSC、核心刊

摘　　要：点缺陷对声子的散射是影响电绝缘体热导率的重要机制之一,其中声子频率是影响声子散射的重要因素.本文主要研究声子频率对同位素掺杂硅声子散射的影响.首先产生一个窄频率范围的声子波包,然后使用分子动力学(MD)模拟声子在同位素掺杂硅中的散射过程,在原子尺度下清晰展示了声子对同位素掺杂的散射过程,并对能量的透射率和反射率进行分析.将模拟结果和已发表的理论结果相比较,在单个同位素掺杂缺陷下,在临近共振频率区域内用改进的Pohl公式成功的拟合了MD结果,这一结果会对在较宽频率包括非色散和色散声子范围内构造声子热传导公式有帮助.对于在较高的掺杂浓度下,声子频率对声子散射特性的影响还需要更进一步的研究.

关 键 词：同位素掺杂硅  声子散射  分子动力学 共振频率  

分 类 号：O482.22]