文献类型：期刊文章

作　　者：刘汉法[1] 张化福[1] 类成新[1] 袁长坤[1]

机构地区：[1]山东理工大学物理与光电信息技术学院,山东淄博255049

出　　处：《液晶与显示》

基　　金：山东理工大学创新团队支持计划(No.2006)

年　　份：2008

卷　　号：23

期　　号：6

起止页码：707-710

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO∶Zr透明导电薄膜。讨论了厚度对ZnO∶Zr透明导电薄膜光学、电学性能的影响。当薄膜厚度为213nm时,薄膜电阻率达到最小值1.81×10-3Ω.cm。所制备的薄膜样品都具有高透光率,其可见光区平均透过率超过了93.0%。当薄膜厚度从125nm增加到350nm时,薄膜的光学带隙从3.58eV减小到3.50eV。

关 键 词：ZnO:Zr  透明导电薄膜 磁控溅射 薄膜厚度 光电性能

分 类 号：TN304.2] O484]