文献类型：期刊文章

作　　者：蔡黎明[1] 雷玉勇[1] 邴龙健[1] 唐令波[1]

机构地区：[1]西华大学机械工程与自动化学院特种加工研究所,成都610039

出　　处：《微细加工技术》

基　　金：人事部留学人员科技活动项目择优资助项目(07202081);西华大学重点学科建设项目(SBZD0703-1)

年　　份：2008

期　　号：5

起止页码：60-64

语　　种：中文

收录情况：SCOPUS、普通刊

摘　　要：研究应用水射流导引激光技术切割加工半导体材料工艺,并与传统切割工艺进行了比较。用φ25μm的水射流和波长为1 064 nm的钇铝石榴石红外线激光源切割一个φ125μm的砷化镓晶片,典型的切割速度是40 mm/s,切口宽度23μm,切边无碎片和边角损坏。与锯片切割相比,其加工速度高达5倍。实验发现,水射流导引激光切割工件温度在160℃以下,晶圆加工表面基本无碎片、毛刺产生。通过对晶圆切片的3点弯曲进行试验发现,对于125μm厚的硅晶圆而言,在同等切痕宽度的情形下,微水射流导引激光切片断裂强度比锯片切片在正反两面都要高50%左右。结果表明,水射流导引激光切割技术可以大幅提高晶圆加工的效率、质量和可靠性。

关 键 词：水射流导引激光  激光微水射流  微细加工 切割  半导体

分 类 号：TN2]