文献类型：期刊文章

作　　者：何建廷[1] 曹文田[2] 李田泽[1] 庄惠照[2]

机构地区：[1]山东理工大学电气与电子工程学院现代光电技术研究所,山东淄博255049 [2]山东师范大学物理与电子科学学院,山东济南250014

出　　处：《电子元件与材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.90301002)

年　　份：2008

卷　　号：27

期　　号：12

起止页码：60-62

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在不同衬底温度下,用脉冲激光沉积法(PLD),在Al2O3(0001)平面上生长了ZnO薄膜。研究了衬底温度对其结晶质量、电学性质以及发光性质的影响。结果显示:XRD在2θ为34°处出现了唯一的ZnO(0002)衍射峰;ZnO薄膜的电阻率随衬底温度的升高而增大;在衬底温度为500℃时,出现了位于410nm附近的特殊的光致发光(PL)峰。

关 键 词：无机非金属材料 PLD ZNO 薄膜  AL2O3 半导体材料  

分 类 号：TQ132.4] TN304]