文献类型：期刊文章

作　　者：徐天宁[1,2] 吴惠桢[1] 隋成华[2]

机构地区：[1]浙江大学物理系,杭州310027 [2]浙江工业大学之江学院理学系,杭州310024

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10434090);教育部博士点基金(批准号20060335035)资助的课题~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：12

起止页码：7865-7871

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20090711905708)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000263389800073)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000263389800073)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注.Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征,因此可以预期Rashba自旋效应在不同取向的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱结构中存在显著差异.计算了多个取向的Pb1-y SryTe/PbTe/Pb1-x SrxTe非对称量子阱中的Rashba分裂能,结果表明[100]取向的PbTe量子阱的Rashba分裂能在阱宽为5.0nm时高达2.2meV,而沿其他两个主要方向([110],[111])生长的量子阱由于能谷的退简并存在两组Rashba分裂能.给出了Rashba自旋分裂能与量子阱非对称参量、阱宽、温度和波矢k∥的依赖关系.Ⅳ-Ⅵ族半导体非对称量子阱结构比Ⅲ-Ⅴ族半导体具有更大的Rashba自旋分裂能,这一特点使得它在自旋电子器件领域可能具有潜在的应用价值.

关 键 词：Ⅳ-Ⅵ族半导体  非对称量子阱 Rashba效应  自旋-轨道耦合分裂  

分 类 号：O471.1]